مطالعه رسانندگی الکتریکی dcشیشه های v2o5-teo2-sb در دماهای پایین

نمونه های آمورف با استفاده از روش فرونشانی مذاب تهیه شده اند. مطالعه رسانش الکتریکی جامدات آمورف و بویژه شیشه های اکسیدی یکی از زمینه های علمی مورد علاقه در فیزیک حالت جامد و علم مواد است. در این کار، مبتنی بر کاربردهای وسیع شیشه های اکسیدی فلزات واسطه، رسانش الکتریکی نمونه های حاضر در گستره دمایی296-180 درجه کلوین اندازه گیری شد و نتایج نشان می دهد که انرژی فعال سازی رسانش الکتریکی با افزایش تراکم افزایش می یابد. از رابطه وابستگی دمایی رسانش الکتریکی این موضوع قابل درک می شود که مکانیسم جهش پولارون کوچک ( )در دماهای بالاتر از (که در آن دمای دبای است) قابل کاربرد است و در تمام شیشه های مورد مطالعه رسانش الکتریکی بخاطر جهش بی دررو پولارون کوچک الکترون ها بین یون های وانادیوم است. تحرک و چگالی حامل های بار جهشی در دماهای مختلف تعیین شدند. در دماهای پایین تر از ، یک وابستگی دمایی به شکل برای رسانش الکتریکی مورد تایید قرار گرفت که می توان آن را با مکانیسم جهشی گستره متغیر( ) توصیف نمود. همچنین، وابستگی رسانش به پارامترهای مختلفی از جمله تراکم یون های وانادیوم تصدیق شد؛ به عبارت دیگر، رسانش الکتریکی با افزایش تراکم یون های وانادیوم افزایش می یابد که بر نقش عمده و مهم این یون ها در رسانش الکتریکی دلالت دارد.